EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
TaC Planetar Epi Susceptor
| Jatorrizko lekua: | Txina |
| Marka izena: | Semixlab |
| Model zenbakia: | TPES0001 |
| Ziurtagiria: | ISO 9001 |
| Gutxieneko Orden Kopurua: | 1pc |
| Salneurria: | Norberarena |
| Packaging Details: | Esportazio-kutxa estandarra |
| Delivery Time: | 30-XNUMxdays |
| Ordainketa baldintzak: | Negoziatu behar da |
| Hornitzeko gaitasuna: | 200 pieza hilean |
Deskribapena
Aixtron planeta-diskoa metal-organiko kimikoen lurrun-deposizio (MOCVD) ekipoetan errodamendu-osagai gakoa da, batez ere silizio karburozko (SiC) xaflen epitaxialen hazkuntza-prozesuan erabiltzen dena. Bere nukleo-egiturak grafito-material puruaren + tantalo karburozko (TaC) estalduraren diseinu konposatua hartzen du.
Xehetasun azkarra:
1. Beste izenak: Aixtron disko planetarioa, TaC estalitako planeta suszeptorea, Aixtron erreaktorerako SiC Epi susceptor
2. Aplikazioa: Silizio karburo (SiC) errendimendu handiko, galio nitruro (GaN) eta hirugarren belaunaldiko erdieroaleen epitaxial prozesuetarako.
3. Oinarrizko parametroak:
Egitura egonkor mantentzen da 2000 ℃-tan, erreakzio-ganberaren estalduraren lurruntze-kutsadura saihesteko.
SiH₄ eta HCl bezalako aitzindari gasen higaduraren aurkako erresistentzia eraginkorra. Substratuaren gainazaleko akatsak murrizten ditu.
Grafito +TaC konposite egituraren eroankortasun termikoa SiC oblearenaren antzekoa da (SiC: 490 W/m·K), eta horrek tentsio termikoak eragindako sare-distortsioa murrizten du.
TaC estalduraren gainazaleko zimurtasuna < 1μm da, eta horrek mikropartikulak erortzea eragotzi eta epitaxial geruzaren gainazaleko kalitatea bermatu dezake (akatsen dentsitatea < 0.5/cm²).
Produktuen ikuspegi orokorra
Aixtron planeta-diskoa metal-organiko kimikoen lurrun-deposizio (MOCVD) ekipoetan funtsezko errodamendu-osagaia da, batez ere silizio karburozko (SiC) xaflen epitaxialen hazkuntza-prozesuan erabiltzen dena. Bere nukleo-egiturak grafito-material puruaren + tantalo karburozko (TaC) estalduraren diseinu konposatua hartzen du:
Grafitozko substratua: eroankortasun termiko bikaina (~130 W/m·K) eta tenperatura-egonkortasun handia (tenperatura > 2000℃) eskaintzen ditu erreakzio-ganberan eremu termiko uniformearen banaketa bermatzeko.
Tantalo karburozko estaldura: Grafitoaren gainazala lurrun-deposizio kimiko (CVD) edo sinterizazio-prozesu batez estaltzen da, normalean 30-100um-ko lodierakoa, hesi kimiko trinko bat osatzeko.
Diseinua SiC epitaxial hazkundearen tenperatura altuko (1500-1700℃) eta oso korrosiboak diren (silanoa, HCl eta beste gas batzuk) ingurunerako optimizatuta dago, prozesuaren egonkortasuna eta oblearen errendimendua nabarmen hobetuz.
Tantalo karburoaren (TaC) eta silizio karburoaren (SiC) estalduraren errendimenduaren alderaketa
| Estaldura-materiala | Tantalo karburozko (TaC) estaldura | Silizio karburozko (SiC) estaldura |
| Mehatze-puntua | Urtze-puntua 3880 ℃ (tenperatura-muga altuagoa) | Urtze-puntua 2700 ℃ (erraz deskonposatzen da tenperatura altuetan) |
| Hedapen termikoaren koefizientea | Hedapen termikoaren koefizientea 6.3×10⁻⁶/K (grafitoarekin hobeto bat dator) | 4.5×10⁻⁶/K (erraz pitzatzen da desoreka termikoagatik) |
| Silizio-lurrunaren korrosioarekiko erresistentzia | Silizio-lurrunaren korrosioarekiko erresistentzia bikaina (TaC eta Si erreaktibotasun baxua) | eskasa (tenperatura altuetan SiC-k Si-rekin erreakzionatzen du Si₂C gas fasean sortzeko) |
| Partikula kutsaduraren arriskua | Partikula kutsaduraren arrisku oso baxua (pororik gabeko estaldura trinkoa) | Altua (estaldura tokian tokiko zuritzeko joera du) |
| Bizitzan | Zerbitzu-bizitza > 5000 ordu (mantentze-ziklo luzatua % 50 baino gehiago) | 2000-3000 ordu inguru |
Ekoizpenaren bateragarritasuna
Aixtron G5 WW C eta Prophet plataformara egokituta, 6/8 hazbeteko obleak eraman ditzake, 30 oblea/multzo baino gehiagoko edukiera dutenak.
Balio teknikoa eta industria-garrantzia
Grafito + tantalo karburoz estalitako planeta-suszeptoreak SiC estaldura tradizionalaren arazoa konpontzen du tenperatura altuko epe luzeko prozesuan:
Kostuen optimizazioa: kontsumigarrien ordezkapen zikloa luzatu eta pieza bakar baten epitaxial kostua % 20 baino gehiago murriztu;
Errendimenduaren hobekuntza: partikulen kutsadura eta bero-orbanen efektua murriztea, eta xafla epitaxialaren errendimendua % 95etik gorakoa izatera bultzatzea;
Prozesu-leihoaren zabalkuntza: hazkunde-tasa handiagoak (> 50μm/h) eta geruza epitaxial lodiagoak onartzen ditu.
Mundu mailako SiC ahalmena 8 hazbeteraino igotzen den heinean, teknologia hau funtsezkoa izango da epitaxial koherentziaren arazoa gainditzeko.
zehaztapenak
| TaC estalduraren propietate fisikoak | |
| Dentsitatea | 14.3 (g/cm³) |
| Emisio espezifikoa | 0.3 |
| Dilatazio termikoaren koefizientea | 6.3 10-6/K |
| Gogortasuna (HK) | 2000 HK |
| Erresistentzia | 1×10⁻⁵ Ohm*cm |
| Egonkortasun termikoa | <2500 ℃ |
| Grafitoaren tamaina aldatzen da | -10~-20um |
| Estalduraren lodiera | ≥20um balio tipikoa (35um±10um) |
| Eroankortasun termikoa | 9-22 (W/m·K) |
| Grafito isostatikoaren propietate fisikoak | ||
| Jabetza | Unitatea | tipikoa Balio |
| Bulkodun dentsitatea | g / cm³ | 1.83 |
| Gogortasuna | HSD | 58 |
| Erresistentzia elektrikoa | μΩ.m | 10 |
| Indar flexiboa | MPa | 47 |
| Konpresioaren indarra | MPa | 103 |
| Trakzio indarra | MPa | 31 |
| Young-en modulua | GPa | 11.8 |
| Hedapen Termikoa (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
| Eroankortasun termikoa | W·m-1·K-1 | 130 |
| Aleen batez besteko tamaina | mm | 8-10 |
aplikazioak
Silizio karburozko potentzia gailuaren epitaxia
4H-SiC hazkuntza epitaxial homogeneorako egokia da, eta 1200V-tik gorako tentsio handiko MOSFET eta IGBT gailuak fabrikatzeko erabiltzen da.
Energia berrietako ibilgailuen, inbertsore fotovoltaikoen, trenbideko garraioaren eta beste arlo batzuen eskaria izugarri handitu da.
Hirugarren belaunaldiko erdieroaleen garapena
GaN-on-SiC heteroepitaxia prozesua onartzen du 5G RF gailuetarako eta milimetro uhinen komunikazio txipetarako.
Lehiatzeko abantaila
Oinarrizko abantailak laburbiltzea:
TaC estaldura SiC estaldura tradizionala baino hobea da tenperatura altuetan korrosioarekiko erresistentziari, egokitze termikoari eta bizitza luzeari dagokionez, bereziki egokia SiC epitaxial hazkundean silizio lurrunaren aberaste ingurunerako.
Bero muturrekoarekiko erresistentzia:
Egitura egonkor mantentzen da 2000 ℃-tan, erreakzio-ganberaren estalduraren lurruntze-kutsadura saihesteko.
Erresistentzia kimikoa:
SiH₄ eta HCl bezalako aitzindari gasen higaduraren aurkako erresistentzia eraginkorra. Substratuaren gainazaleko akatsak murrizten ditu.
Eremu termikoaren uniformetasuna:
Grafito +TaC konposite egituraren eroankortasun termikoa SiC oblearenaren antzekoa da (SiC: 490 W/m·K), eta horrek tentsio termikoak eragindako sare-distortsioa murrizten du.
Kutsadura-irteera txikia:
TaC estalduraren gainazaleko zimurtasuna < 1μm da, eta horrek mikropartikulak erortzea eragotzi eta epitaxial geruzaren gainazaleko kalitatea bermatu dezake (akatsen dentsitatea < 0.5/cm²).
