Kuartzozko Bero-ezkutua

Kuartzozko Bero-ezkutua, kuartzo zuri esnetsuz egina, kudeaketa termikorako osagai aurreratu bat da, tenperatura altuko SiC epitaxia sistemetan erabiltzeko egokitua. Kuartzo gardenarekin alderatuta, material honek isolamendu hobea, prozesu-egonkortasun hobea eta kostu-eraginkortasun handiagoa eskaintzen ditu, eta horrek aproposa bihurtzen du MOCVD eta CVD erreakzio-ganberetan babes termikorako.

Ⅰ. Materialen konposizioa eta propietate fisiko nagusiak

● Materiala: Esne-zuriko kuartzoa (mikroburbuila sakabanatuak eta ale-mugak dituen silize urtu sintetikoa)

● Kolorea eta itxura: Zuri zeharrargitsua

● Eroankortasun termikoa: Kuartzo gardena baino txikiagoa, barneko burbuila-egitura dela eta

● Laneko tenperatura: 1700 °C-raino egonkorra

● Hedapen termikoaren koefizientea: ~0.55 × 10⁻⁶ /K (kuartzo gardenaren berdina)

● Erresistentzia termiko handia

● Purutasun kimiko bikaina: Ezpurutasun arrastoak (adibidez, Al, Na) 1 ppm-ren azpitik mantentzen dira

Ⅱ. SiC epitaxia aplikazioetako funtzio nagusiak

Esne-zuriko kuartzoa SiC epitaxial erreaktoreetarako hautatzen da bereziki, abantaila kritiko hauek dituelako:

(1) Isolamendu Termikoaren Errendimendu Hobetua

Infragorri Erradiazioaren Barreiadura: Barneko burbuilek eta ale-mugek IR erradiazioa hainbat aldiz barreiatzen dute, erradiazio-beroaren transferentzia nabarmen murriztuz. Kuartzo gardenaren isolamendu hobea eskaintzen du % 30-50 1500-1700 °C-ko baldintzetan.

Eroankortasun Termiko Baxua: Mikroburbuilen banaketak eroalezko bero-galera murrizten du, eraginkortasun termiko orokorra optimizatuz.

(2) Tenperatura altuko iraunkortasuna eta egonkortasuna

Talka Termikoarekiko Erresistentzia: Kuartzo gardenaren hedapen-koefiziente bera duen arren, bere mikroegiturak tokiko tentsio termikoa xurgatzen laguntzen du, eta hori aproposa da azkar bizkortzeko/atzeratzeko prozesuetarako.

Kristalizazioarekiko erresistentzia: Tenperatura altuko atmosfera erreduzitzaileetan (adibidez, H₂), esne-kuartzoa α-kristobalita bihurtzeko desbitrifikazioaren aurrean erresistenteagoa da, haustura-arriskua minimizatuz.

(3) Prozesuen bateragarritasuna eta deposizioaren kontrola

Parasitoen Deposizio Murriztua: Bere opakutasunak tokiko gehiegi berotzea arintzen du, eta horrek aitzindarien (adibidez, SiH₄, C₃H₈) deskonposizio goiztiarra eragozten du babes-gainazaletan.

Tenperatura-eremu uniformea: Barreiatze-jokabideak tenperaturaren banaketa uniformea ​​sustatzen du erreakzio-eremuan zehar, eta hori ezinbestekoa da SiC potentzia-gailuetan geruza epitaxialaren uniformetasuna lortzeko.

(4) Kostu-eraginkortasuna

Materialen kostu txikiagoa: Esne-zuri koloreko kuartzoa normalean merkeagoa da ultra-purutasun handiko kuartzo gardena baino, eta horrek egokia da kontsumitzeko hesi termikoko osagai gisa.

(5) Mantentze-lanak eta kontuan hartu beharrekoak

Purutasun Bermea: Ziurtatu ezpurutasun maila oso baxuak (Al, Na < 1 ppm) SiC epitaxial gainazalaren kutsadura saihesteko.

Bizi-zikloaren kudeaketa: Epe luzeko erabileraren ondoren (normalean >1000 ordu), mikroburbuilen koaleszentziak errendimendu termikoa hondatu dezake; aldizka ordezkatzea gomendatzen da.

tipikoa aplikazioak

✔SiC MOCVD eta CVD erreaktoreak

✔SiC potentzia erdieroaleen hazkunde epitaxiala

✔Tenperatura altuko difusio eta deposizio ganberak

✔Babes termikoa hutsean/gas geldoetan